Транзисторы

Новости украины последние новости и события в украине. .

Общая характеристика
В современном понимании транзистор — это полупроводниковый прибор с двумя или более р-n переходами и тремя или более выводами, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний.
Наиболее широкое применение в радиолюбительских конструкциях находят биполярные и полевые транзисторы. У полевых транзисторов управление выходным током производится с помощью электрического поля, отсюда и название, полевые. Эти транзисторы имеют три электрода: исток, затвор и сток. Электроды полевого транзистора в определенной степени соответствуют электродам биполярного транзистора — эмиттеру, базе и коллектору.

Достоинством полевого транзистора является то, что ток входного электрода (затвора) очень мал. Это определяет высокое входное сопротивление каскадов на этих транзисторах и тем самым устраняет влияние последующих каскадов схемы на предыдущие.
Еще одно достоинство этих транзисторов — низкий уровень собственных шумов, что дает возможность использовать полевые транзисторы в первых каскадах высококачественных усилителей звуковой частоты.

Основная классификация транзисторов
Основная классификация транзисторов ведется по исходному материалу, на основе которого они сделаны, максимальной допустимой мощности, рассеиваемой на коллекторе и частотным свойствам. Эти параметры определяют их основные области применения. По мощности транзисторы делят на транзисторы малой, средней и большой мощности, а по частоте — низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные и сверхвысокочастотные. По исходному полупроводниковому материалу — германиевые и кремниевые.
Основными параметрами биполярных транзисторов являются:
• статический коэффициент усиления по току α в схеме с общей базой;
• статический коэффициент усиления по току β в схеме с общим эмиттером. Параметры α и β связаны зависимостями вида β = α/(1 — α) или α = β/(1 + β);
• обратный ток коллектора Iко;
• граничная fгр и предельная fh21 частоты коэффициента передачи тока.
Основными параметрами полевых транзисторов являются:
• напряжение отсечки Uo — приложенное к затвору напряжение, при котором перекрывается сечение канала;
• максимальный ток стока Iс.макс;
• напряжения: между затвором и стоком Uзс, между стоком и истоком Uси и между затвором и истоком Uзи;
• входная Свх, проходная Спр и выходная Свых емкости.

Система обозначений
Встречаются транзисторы (биполярные), которые имеют старую, введенную до 1964 г. систему обозначений. По старой системе в обозначение транзистора входит буква П и цифровой номер. По номеру транзистора можно определить, для каких каскадов радиоэлектронной конструкции он разработан. Если перед буквой П стоит буква М, то это значит, что корпус транзистора холодносварочной конструкции.
Расшифровка типов транзисторов по номеру следующая:
Низкочастотные (до 5 МГц):
• 1…100 — германиевые малой мощности, до 0,25 Вт;
• 101…201 — кремниевые до 0,25 Вт;
• 201…300 — германиевые большой мощности, более 0,25 Вт;
• 301…400 — кремниевые более 0,25 Вт.
Высокочастотные (свыше 5 МГц):
• 401…500 — германиевые до 0,25 Вт;
• 501…600 — кремниевые до 0,25 Вт;
• 601…700 — германиевые более 0,25 Вт;
• 701…800 — кремниевые более 0,25 Вт.
Например, П416Б — транзистор германиевый, высокочастотный, малой мощности, разновидности Б; МП39Б — германиевый транзистор, имеющий холодносварочный корпус, низкочастотный, малой мощности, разновидности Б.
В новой системе обозначений используется буквенно-цифровой шифр, который состоит из 5 элементов:
1 элемент системы обозначает исходный материал, на основе которого изготовлен транзистор и его содержание не отличается от системы обозначения диодов, то есть Г или 1 — германий, К или 2 — кремний, А или 3 — арсенид галлия, И или 4 — индий.
2 элемент — буква Т (биполярный) или П (полевой).
3 элемент — цифра, указывающая на функциональные возможности транзистора по допустимой рассеиваемой мощности и частотным свойствам.
Транзисторы малой мощности, Ртах < 0,3 Вт:
1 — маломощный низкочастотный, fгр< 3 МГц;
2 — маломощный среднечастотный, 3 < fгр< 30 МГц;
3 — маломощный высокочастотный, 30 < fгр < 300 МГц.
Транзисторы средней мощности, 0,3 < Ртах < 1,5 Вт:
4 — средней мощности низкочастотный;
5 — средней мощности среднечастотный;
6 — средней мощности высокочастотный.
Транзисторы большой мощности, Ртах > 1,5 Вт:
7 — большой мощности низкочастотный;
8 — большой мощности среднечастотный;
9 — большой мощности высокочастотный и сверхвысокочастотный (fгр > 300 Гц).
4 элемент — цифры от 01 до 99, указывающие порядковый номер разработки.
5 элемент — одна из букв от А до Я, обозначающая деление технологического типа приборов на группы.
Например, КТ540Б — кремниевый транзистор средней мощности среднечастотный, номер разработки 40, группа Б. При изготовлении транзисторов используют различные технологические приемы, в результате чего получаются приборы со специфическими особенностями, эксплуатационными свойствами и параметрами.

 

Комментирование и размещение ссылок запрещено.

Комментарии закрыты.